Silikon Kaplama Hakkında Bilgi - Delinetciler Portal
+ Hemen Yorum Yap

Silikon Kaplama Hakkında Bilgi

  1. sponsorlu bağlantılar
    Kaplama malzemelerinin metale yapışabilirliğini veya korozyon ortamına dayanıklılığını geliştirmek için metaller üzerine ince plazma filmlerin kaplanması son yıllarda araştırmacıların ilgisini çekmektedir [1-12]. İnce film üretmek için çeşitli teknikler kullanılır. Özellikle ultra ince film hazırlamak için ıslak ve kuru proses olmak üzere iki teknik uygulanmaktadır. Bunlar;
    Islak prosesler: Langmuir-Brodgett, yayılma, daldırma veya sıvı döküm.

    Kuru prosesler: fiziksel buhar biriktirme (PVD) ve kimyasal buhar biriktirme (CVD) teknikleridir.

    Bu prosesler içinde ince polimer film kaplamalarda en sık kullanılan CVD metodudur [12-16]. CVD işleminin daha düşük sıcaklıklarda yapılabilmesine olanak tanımak amacı ile bu tekniğin plazma destekli türü olan plazma-destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve Radyo frekansı (RF) yöntemleri son yıllarda üzerinde en çok yoğunlaşılan kaplama yöntemlerindendir [1-11,17-25]. Bu tekniklerin diğer yöntemlere göre en önemli üstünlüğü kaplanacak malzemeyi yüksek sıcaklığa çıkarmadan kaplamaya olanak sağlamasıdır.

    Plazma terimi, ilk defa 1929'da Langmuir tarafından iyonlarına ayrılmış bir gaz olarak tanımlanmıştır [26]. İyonlarına ayrılmış gaz olan plazma, içerisinde iyon, elektron, uyarılmış atom, foton, nötral atom veya molekül içeren bir karışımdır. Plazma maddenin katı, sıvı ve gaz hallerinden oldukça farklılık göstermesinden dolayı maddenin dördüncü hali olarak da ifade edilir. Bu haller arasında esas fark sahip oldukları enerjidir [27] (Şekil 1). Şekil 1'de görüldüğü gibi, 8000 K'in üzerinde madde katı ve sıvı halini koruyamaz ve sıcaklığın 10 000 K'in üzerine çıkmasıyla tüm atomlar ve moleküller iyonlaşır. Aslında evrenin bilinen kısmının % 99'u plazma olarak değerlendirilir [28]. Plazma, doğada güneş ve bazı yıldızlar içinde (gaz sıcaklığı 106-108 K), yıldırımda ve elektrik boşalmasında (gaz sıcaklığı 104-105 K) görülür.

    Plazmalar genellikle, plazma türlerinin sıcaklıklarına bağlı olarak sıcaklıkları 106 - 108 K ulaşabilen ‘yüksek sıcaklık plazmaları' (yıldızlar, termonükleer reaktörler), buna karşılık sıcaklıkları 106K'nin çok aşağısında olan ‘düşük sıcaklık plazmaları' diye iki temel gruba ayrılırlar. Düşük sıcaklık plazmaları da sıcak plazma ve soğuk plazma olarak kendi aralarında iki kısma ayrılırlar. Sıcak plazmanın gaz sıcaklığı 1000 K'nın oldukça üzerinde olup, genelde 104 - 105 K arasındadır. Şimşek çakmasında, elektrik arklarında ve diğer yüksek enerjili ortamlarda oluşur. Soğuk plazmanın gaz sıcaklığı 1000 K'den düşük olup genelde 300-400 K civarındadır. Düşük sıcaklık plazmalarında moleküller, iyonlar, elektronlar termodinamik olarak dengede değildirler. Elektron sıcaklığı 104-105 K (1-10 eV) ulaşırken, iyon sıcaklığı ise oda sıcaklığına yakındır. Bu nedenle bu plazmalara soğuk plazma denmektedir [27,29,30].
    Plazma haline geçiş için, gaz halindeki maddeye enerji vermek gerekir. Gerekli olan bu enerjiyi, ısı, ışın, manyetik ve elektrik enerjisi şeklinde vermek mümkündür. Bunlardan pratikte en çok kullanılan ve en önemli olan elektrik boşalmasıyla plazma elde etmektir. Bu tür plazma için güç kaynakları doğru akım (DC), düşük frekans, radyo frekansı (RF) veya mikrodalga frekansıdır (MW).

    Devamı ektedir.

    sponsorlu bağlantılar
    Eklenmiş Dosya

     Konuyu Beğendin mi?
  Okunma: 3740 - Yorum: 0 - Amp